ROHM Product Detail

BM3GF02MUV-LBZ (In Entwicklung)
Leistungsfaktorkorrektur-Controller-IC mit integriertem 650 V GaN HEMT

Dieses Produkt ist ein Rangprodukt für den industriellen Markt. Es ist das beste Produkt für den Einsatz in diesen Anwendungen. BM3GF01MUV-LBZ, BM3GF02MUV-LBZ enthalten den 650 V GaN HEMT und den Leistungsfaktorkorrekturwandler (Power Factor Correction: PFC), die als Schaltgeräte ein kompaktes, optimales System für alle Produkte bieten, die eine Leistungsfaktorkorrektur erfordern. Für den PFC-IC wird die Boundary Conduction Mode-Steuerung verwendet, und die Reduzierung von Schaltverlusten und Rauschen ist durch Nullstromerkennung möglich. Der integrierte GaN HEMT trägt zur Miniaturisierung und hohen Effizienz bei. Darüber hinaus ermöglicht dieser IC die externe Steuerung des PFC ON/OFF durch die Kombination des QR-IC von ROHM mit integriertem GaN HEMT. Er trägt zu einem geringen Standby-Stromverbrauch bei, indem er die PFC im Standby-Betrieb stoppt, wenn PFC nicht benötigt wird.

Produktdetails

 
Teilenummer | BM3GF02MUV-LBZE2
Status | In Entwicklung
Gehäuse | VQFN41V8080K
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Controller Type

PFC

Channel

1

Zero Detect

Auxiliary Winding

W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support

Yes (LowTHD)

Vin1 (Typ.)[V]

2.5

Reference Voltage Accuracy (%)

1.5

Brown Out

No

VCC Discharge

Yes

OVP System

1 way

FET

-

VS Pin Over Voltage Protection (L/A)

Auto Restart

Vin1(Max.)[V]

38

VS Short Protection (L/A)

Auto Restart

BR PIN

No

Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function

Yes

SW Frequency (Max.)[kHz]

250

Light Load mode

Yes

EN

Yes

Thermal Shut-down

Yes

Vmax (DrainMax) [V]

650

FET Withstand Voltage [V]

650

Under Voltage Lock Out

Yes

On Resistor (MOSFET)[Ω]

0.07

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

125

Package Size [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

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Eigenschaften:

  • Integriertes 650 V spannungsfestes GaN-HEMT
  • Integrierte 650 V Startschaltung
  • Boundary Conduction Mode (Grenzleitungsmodus) PFC
  • Anpassungsstift für die Ausschalt-Slew-Rate
  • Integrierter Low-THD-Schaltkreis
  • ON/OFF-Steuerung über den PFCOFF-Pin
  • UVLO-Funktion des VCC-Pins
  • ZCD durch Hilfswicklung
  • Statische OVP-Funktion über den VS-Pin
  • Eingangskurzschlussschutz des Fehlerverstärkers über den VS-Pin
  • Überspannungs-Boost-Reduzierungsfunktion beim Start
  • Überstromschutz pro Zyklus
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