ROHM Product Detail

BM2LB080FJ-C (In Entwicklung)
Automotive IPD 2-Kanal-Low-Side-Schalter

BM2LB080FJ-C ist ein 2-Kanal-Low-Side-Schalter-IC für 12-V-Automobilanwendungen. Er verfügt über integrierte OCP, Dual TSD und aktive Klemmfunktion.

Produktdetails

 
Teilenummer | BM2LB080FJ-CE2
Status | In Entwicklung
Gehäuse | SOP-J8
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
RoHS | Ja

Funktionalen Sicherheit:

Kategorie : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

Spezifikationen:

Type

Low side switches

Generation

GEN2

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Limitation

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

2

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

80

ON Resistance(Max.)[mΩ]

200

DC Output Current @Ta=85℃ [A]

1.8

Supply Voltage(Min.)[V]

3

Supply Voltage(Max.)[V]

5.5

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

40

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

200

Over Current Limit (Min.)[A]

13

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3

Current consumption(Typ.)[µA]

100

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6.0 (t=1.65)

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Eigenschaften:

  • Eingebauter Dual TSD*1
  • AEC-Q100-qualifiziert (Grade1)
  • Funktionale Sicherheit unterstützende Automotive Produkte
  • Eingebaute Überstromschutzfunktion (OCP)
  • Eingebaute aktive Klemmfunktion
  • Direkte Steuerung von CMOS-Logik-ICs usw. möglich
  • Einschaltwiderstand RDS(ON) = 80 mΩ (Typ) (VIN = 5 V, Iout = 0,5 A, Tj = 25℃)
  • Monolithischer Power Management IC mit Steuerblock (CMOS) und Power-MOS-FET auf einem einzigen Chip

*1 Dieser IC verfügt über eine thermische Abschaltung (Erkennung der Sperrschichttemperatur) und einen ΔTj-Schutz (Erkennung eines steilen Temperaturanstiegs des Power-MOS).

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