4,3–5,5 V 0,55 A 1-Kanal-LDO - BD3507HFV | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd. - germany

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4,3–5,5 V 0,55 A 1-Kanal-LDO - BD3507HFV

Der BD3507HFV eignet sich für die Energieversorgung von Bus-Chipsätzen. Der kompakte BD3507HFV bietet Leistungsgehäuse mit Wärmeabstrahlrippen und wird deshalb bei Reglern bis zu 550 mA eingesetzt. Dank Nch MOSFET und Ultra-Low-Dropout-Stromversorgung von R_ON=300 m? (TYP.) ist der BD3507HFV ein hocheffizientes System linearer Stromversorgung. Die Ausgangsspannung kann über eine V_REF Klemme eingestellt und mit anderen Stromversorgungen synchronisiert werden. Außerdem kann es als High-Side-Schalter (R_ON = 300m? / lo = 550 mA) einer Versorgungsleitung mit geringer Spannung eingesetzt werden. Als Ausgangskondensatoren können keramische Kondensatoren verwendet werden. Deshalb trägt der BD3507HFV zur Verkleinerung und Reduzierung bei, nicht nur beim IC, sondern auch bei den Sets.

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Gehäuse
Abmessungen

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.

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Teilenummer | BD3507HFV-TR

Status | Active

Gehäuse | HVSOF6

Einheitenmenge | 3000

Minimale Gehäusemenge | 3000

Gehäusetyp | Taping

RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Breakdown Voltage(Max.)[V]

6.0

Vin(Min.)[V]

4.5

Vin(Max.)[V]

5.5

Vin 2ch[V]

1.2 to Vcc-1

Vout (Typ.) [V]

0.65 to 2.7

Vout Precision

±1.0

Iout(Max.)[A]

0.55

Thermal Shut-down

Recover

Over Current Protection

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

Soft Start

Variable

Operating Temperature (Min.)[°C]

-10

Operating Temperature (Max.)[°C]

100

Eigenschaften:

・Built-in high-accuracy buffer circuit (can be set to 0.65-2.7V)
・Adoption of ceramic capacitors
・Built-in enable function (0μA at standby)
・Built-in current limiting circuit (550mA Max)
・Built-in undervoltage lockout circuit (UVLO)
・Built-in thermal shutdown circuit (TSD)
・Adoption of ultra-small-size high-power HVSOF6 package (BD3507HFV:3.0×1.6×0.75mm)
・Incorporates small-size high-power HSON8 (BD3507HFN:2.9×3.0×0.6mm)

Unterstützende Links:

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