SCT3040KW7
1200 V 56 A, 7-pin SMD, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET mit Trench-Struktur
SCT3040KW7
SCT3040KW7
1200 V 56 A, 7-pin SMD, Siliziumkarbid- (SiC-) MOSFET mit Trench-Struktur
Der SCT3040KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
40
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
56
Total Power Dissipation[W]
276
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.2x15.4 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant