SCT4036DEHR (Neues Produkt)
750 V, 42 A, 3-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) für Automotive
SCT4036DEHR (Neues Produkt)
750 V, 42 A, 3-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) für Automotive
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für den Automobilbereich. Der SCT4036DEHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHM SiC MOSFET der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101-qualifiziert
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach parallel zu schalten
- Einfach anzusteuern
- Pb-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
