SCT4036DRHR (Neues Produkt)
750V, 42A, 4-Pin-THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Kraftfahrzeuge
SCT4036DRHR (Neues Produkt)
750V, 42A, 4-Pin-THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Kraftfahrzeuge
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4036DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, niedriger EIN-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation von ROHM SiC-MOSFET
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um ca. 40% und eine Reduzierung der Schaltverluste um ca. 50% im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerungszeit
- Einfach zu parallelisieren
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
