SCT4050KRHR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive-Anwendungen
SCT4050KRHR (Neues Produkt)
1200V, 32A, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive-Anwendungen
AEC-Q101 qualifiziertes Automotive-Produkt. Der SCT4050KRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein geringer EIN-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs 4. Generation SiC MOSFET
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Rückwärtserholung
- Einfach parallel zu schalten
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
