SCT4065DE (Neues Produkt)
750V, 25A, 3-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4065DE (Neues Produkt)
750V, 25A, 3-polig THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der SCT4065DE ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, geringer EIN-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
