SCT4065DWAHR (Neues Produkt)
750V, 22A, 7-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4065DWAHR (Neues Produkt)
750V, 22A, 7-poliger SMD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4065DWAHR ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid). Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation der ROHM SiC-MOSFETs
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und der Schaltverluste um etwa 50 % auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V erleichtert das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
22
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Geringer ON-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerungszeit
- Leicht zu parallelisieren
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung ; RoHS-konform
- Großer Kriechstrecke = min. 4,7mm
