SCT4090KEHR (Neues Produkt)
1200V, 19A, 3-polig THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4090KEHR (Neues Produkt)
1200V, 19A, 3-polig THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt in Automobilqualität. Der SCT4090KEHR ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Trench-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören hohe Spannungsfestigkeit, geringer Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs 4. Generation SiC-MOSFET
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine etwa 40 % geringere Einschaltwiderstand und etwa 50 % geringere Schaltverluste auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Einfach zu parallelisieren
- Einfach anzusteuern
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
