SCT4090KR (Neues Produkt)
1200V, 19A, 4-Pin THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4090KR (Neues Produkt)
1200V, 19A, 4-Pin THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
SCT4090KR ist ein SiC-Trench-MOSFET (Siliziumkarbid). Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie bietet im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und der Schaltverluste um etwa 50 %. Die 15-V-Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Reverse Recovery
- Einfach parallel zu schalten
- Einfach anzusteuern
- Pb-freie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
