SCT4090KRHR (Neues Produkt)
1200 V, 19 A, 4-Pin-THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
SCT4090KRHR (Neues Produkt)
1200 V, 19 A, 4-Pin-THD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für Automotive
AEC-Q101-qualifiziertes Produkt in Automotive Grade. Der SCT4090KRHR ist ein SiC-(Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der ROHM SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40 % und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten auf. Die Gate-Source-Spannung von 15 V vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- Qualifiziert nach AEC-Q101
- Geringer Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrerholzeit
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Bleifreie Anschlussbeschichtung; RoHS-konform
