SCT4090KWAHR (Neues Produkt)
1200V, 17A, 7-poliges SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
SCT4090KWAHR (Neues Produkt)
1200V, 17A, 7-poliges SMD, Grabenstruktur, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET für die Automobilindustrie
AEC-Q101 qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4090KWAHR ist ein SiC(Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile der 4. Generation von ROHM SiC MOSFET
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 40% und eine Reduzierung der Schaltverluste um etwa 50% auf. Die 15V Gate-Source-Spannung vereinfacht das Anwendungsdesign.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
17
Total Power Dissipation[W]
71
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Schnelle Sperrverzögerung
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerung
- Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
- Großer Kriechabstand = min. 4,7mm
