SiC-Leistungsmodul - BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | BSM080D12P2C008
Status | Empfohlen
Gehäuse | C
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

80.0

Total Power Dissipation[W]

600

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Eigenschaften:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.