1200V, 576A, Halbbrücke, Full-SiC-Leistungsmodul mit Trench-MOSFET - BSM600D12P3G001
Der BSM600D12P3G001 ist ein Halbbrückenmodul, bestehend aus SiC-UMOSFET und SiC-SBD, geeignet für Motoransteuerung, Wechselrichter, Umrichter, Photovoltaik, Windkraftanlagen, Induktionsheizungen.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
576.0
Total Power Dissipation[W]
2450
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package
Half bridge
Eigenschaften:
- Low surge, low switching loss.
- High-speed switching possible.
- Reduced temperature dependance.