1200V, 576A, Halbbrücke, Full-SiC-Leistungsmodul mit Trench-MOSFET - BSM600D12P3G001

Der BSM600D12P3G001 ist ein Halbbrückenmodul, bestehend aus SiC-UMOSFET und SiC-SBD, geeignet für Motoransteuerung, Wechselrichter, Umrichter, Photovoltaik, Windkraftanlagen, Induktionsheizungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | BSM600D12P3G001
Status | Empfohlen
Gehäuse | G
Einheitenmenge | 4
Minimale Gehäusemenge | 4
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

576.0

Total Power Dissipation[W]

2450

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Eigenschaften:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.