SCS215AM
SiC-Schottky-Diode
SCS215AM
SCS215AM
SiC-Schottky-Diode
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)
Neue alternative Produkte sind möglicherweise verfügbar.
Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Teilenummer | SCS215AMC7G
Status |
Aktiv
Gehäuse |
TO-220FM-2LGE
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
15
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
39
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.1x19.1 (t=4.8)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.