SCS215KG
SiC SBD
SCS215KG
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SiC SBD
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)
Data Sheet
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Produktdetails
Teilenummer | SCS215KGC17
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-220ACG
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
15
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
180
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.3x10.05 (t=4.48)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.