SCS220AE
SiC-Schottky-Diode
SCS220AE
SCS220AE
SiC-Schottky-Diode
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (3-Pin-Gehäuse)
Data Sheet
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Produktdetails
Teilenummer | SCS220AEGC11
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-247N
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
20
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
130
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.