SCS240KE2
SiC SBD
SCS240KE2
SCS240KE2
SiC SBD
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (3-Pin-Gehäuse)
Data Sheet
Kaufen
*
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Teilenummer | SCS240KE2GC11
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-247N
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
40
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
420
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
・Kürzere Wiederherstellungszeit・Geringere Temperaturabhängigkeit
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit möglich
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.