SCS312AM (Neues Produkt)
Silikonkarbid-Schottky-Diode
SCS312AM
SCS312AM (Neues Produkt)
Silikonkarbid-Schottky-Diode
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht.
Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Teilenummer | SCS312AMC7G
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-220FM-2LGE
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
12
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
36
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.1x19.1 (t=4.8)
Eigenschaften:
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
Produktvideo & Katalog
Produktvideo-Übersicht
Wide Creepage Distance Package SiC Schottky Barrier Diodes - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.09 MB )
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.
The SCS2xxAN (650V) and SCS2xxKN (1,200V) series of SiC Schottky barrier diodes achieve wide creepage distance in a compact surface mount package. This reduces the need for special insulation measures such as potting.