SCS320KG (Neues Produkt)
1200 V, 20 A, THD, Siliziumkarbid (SiC) SBD
SCS320KG
SCS320KG (Neues Produkt)
1200 V, 20 A, THD, Siliziumkarbid (SiC) SBD
Reduzierte Schaltverluste, was Hochgeschwindigkeitsschaltung ermöglicht.
Data Sheet
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Produktdetails
Teilenummer | SCS320KGC16
Status |
Empfohlen
Gehäuse |
TO-220ACGE
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
20
Total Power Dissipation[W]
223
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.16x19.17 (t=4.44)
Eigenschaften:
- Hohe Stoßstromfestigkeit
- Geringer Ableitstrom
- Reduzierte Temperaturabhängigkeit
- Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich
- Kürzere Erholzeit
