UMT18N
PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat)
UMT18N
UMT18N
PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat)
Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-363
JEITA Package
SC-88
Number of terminal
6
Polarity
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
-12
Collector current Io(Ic) [A]
-0.5
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]
-12
Collector current(continuous) IC2[A]
-0.5
hFE
270 to 680
hFE (Min.)
270
hFE (Max.)
680
Mounting Style
Surface mount
Equivalent (Single Part)
2SA2018 / 2SA2018
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2x2.1 (t=1)
Eigenschaften:
· Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
