EMD22

PNP+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen)
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EMD22

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PNP+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen)

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EMD22T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

NPN+PNP

Supply voltage VCC 1[V]

50

Collector current Io (Ic) [A]

0.1

Input resistance R1 1 [kΩ]

4.7

Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

47

Supply voltage VCC 2[V]

-50

Collector current IC 2[A]

-0.1

Input resistance R1 2 [kΩ]

4.7

Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]

47

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

DTA143Z / DTC143Z

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

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