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PNP+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen) - EMD9

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | EMD9T2R
Status | Active
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Package Size[mm]

1.6x1.6(t=0.5)

Number of terminal

6

Polarity

NPN+PNP

Supply voltage VCC 1[V]

50.0

Collector current IC 1[A]

0.1

Input resistance R1 1 [kΩ]

10.0

Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

47.0

Supply voltage VCC 2[V]

-50.0

Collector current IC 2[A]

-0.1

Input resistance R1 2 [kΩ]

10.0

Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]

47.0

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

DTA114Y / DTC114Y

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Digitaltransistor
· Integrierte Vorspannungswiderstände
· Mit Leck-Absorption
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform