EMG8
NPN+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen)

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EMG8T2R
Status | Empfohlen
Gehäuse | EMT5
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-553

JEITA Package

SC-107BB

Package Size[mm]

1.6x1.6 (t=0.5)

Number of terminal

5

Polarity

NPN+NPN

Supply voltage VCC 1[V]

50.0

Collector current Io (Ic) [A]

0.1

Input resistance R1 1 [kΩ]

4.7

Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

47.0

Supply voltage VCC 2[V]

50.0

Collector current IC 2[A]

0.1

Input resistance R1 2 [kΩ]

4.7

Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]

47.0

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

DTC143Z / DTC143Z

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Ultrakompakter komplexer Digitaltransistor
· Integrierte Vorspannungswiderstände
· Mit Spannungsteiler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Temperature derating method for Safe Operating Area (SOA)
  • Calculation of Power Dissipation in Switching Circuit
  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • What is a Thermal Model? (Transistor)
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

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