Über ROHM

Firmenchronik

ROHM – jederzeit bereit für Herausforderungen

ROHM wurde 1958 in Kyoto als Hersteller elektronischer Kleinkomponenten gegründet. 1967 wurde die Produktion auf Transistoren und Dioden ausgeweitet, 1969 kamen ICs und weitere Halbleiterprodukte hinzu. Zwei Jahre später (1971) stieg ROHM entgegen der Gepflogenheiten in japanischen Unternehmen auf den US-Markt ein und richtete im Silicon Valley eine Vertriebsniederlassung und ein IC-Design-Center ein. Dank der intensiven Arbeit und leidenschaftlichen Hingabe seines jungen Teams florierte das Unternehmen und zog so die Aufmerksamkeit der Branche auf sich. Die Expansion nach Übersee diente schon bald anderen Unternehmen als Vorbild und setzte sich schließlich in der japanischen Unternehmenswelt durch.

1954 bis 1969 Gründung und Aufbau

1954
  • Gründung von Toyo Electronics Industry
  • Entwicklung und Vermarktung von Kohleschichtwiderständen
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1958
  • Toyo Electronics Industry Corporation
1962
  • Inbetriebnahme der firmeneigenen Produktion einer Anlage zur automatischen Montage von Widerständen
1963
  • Entwicklung und Vermarktung von Metallschichtwiderständen
1965
  • Einführung eines Qualitätskontrollprogramms
  • Veröffentlichung von „Visible Music History" (Aufnahme aller Folgen)
1966
  • Bildung des firmeneigenen Normungsausschusses
  • Gründung von ROHM Wako Co., Ltd.
1967
  • Entwicklung und Vermarktung von Transistoren und Schalterdioden
1968
  • Fertigstellung der Produktion von Diodenzeilen und -matrizes
1969
  • Beginn der Entwicklung von ICs
  • Gründung von ROHM Apollo Co., Ltd.

1970 – 1979 Expansion nach Übersee

1970
  • Einführung von Computern zur Verarbeitung von Unternehmensdaten
  • Gründung von ROHM Logistec Co., Ltd.
  • Gründung einer US-Tochtergesellschaft in Kalifornien
  • Veröffentlichung von „History of Musical Instruments" (Aufnahmen aller Folgen)
1971
  • Beginn der Forschungs- und Entwicklungstätigkeit auf dem Gebiet der integrierten Schaltkreise (integrated circuits, kurz ICs) im Silicon Valley
  • Gründung von ROHM Electronics GmbH
  • Entwicklung und Vermarktung von Transistoren
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1972
  • Gründung der ROHM Korea Corporation
1973
  • Entwicklung von Vermarktung von LEDs und Netzwerkwiderständen
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1974
  • Entwicklung und Vermarktung von Thermodruckköpfen
  • Gründung von ROHM Electronics (H.K.) Co., Ltd.
1976
  • Entwicklung von Vermarktung von Rechteckplatten-Chip-Widerständen
1977
  • Entwicklung und Vermarktung von Gleichrichterdioden
1979
  • Änderung des Firmennamens von R.ohm zu ROHM
  • Gründung von ROHM Electronics Asia Pte. Ltd. (RES DIVISION)
  • Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Kyoto Natural History" (Firmen-PR)

1980 – 1989 Der Weg zur Herstellung von integrierten Halbleitern

1980
  • Entwicklung und Vermarktung von Zener-Dioden
1981
  • Änderung des eingetragenen Firmennamens von Toyo Electronics Industry Corporation zu ROHM Co., Ltd.
  • Beginn der Entwicklung von MOS-ICs
  • Gründung von ROHM Fukuoka Co., Ltd.
  • Veröffentlichung von „Asian Music" (Tonbandaufnahmen aller Folgen)
1982
  • Fertigstellung des Semiconductor Research Center
  • Entwicklung und Vermarktung von Digitaltransistoren
1983
  • Notierung im zweiten Segment der Wertpapierbörse von Osaka
  • Entwicklung und Vermarktung von Bandschalterdioden
1984
  • Weltweit erste praktische industrielle Nutzung von Laserdioden nach MBE-Verfahren
  • Gründung von ROHM Amagi Co., Ltd.
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1985
  • Entwicklung von 4-Bit- und 8-Bit-Mikrocontrollern mit Original-CPUs
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1986
  • Notierung im ersten Segment der Börse von Osaka
  • Eröffnung des Research and Development Center (zurzeit LSI Development Center)
  • Entwicklung und Vermarktung von Speicher-ICs
  • Vermarktung von Kondensatoren
  • Veröffentlichung der PR-Zeitschrift „ROHM's Diary of Kyoto Natural History"
1987
  • Gründung eines Produktionsbetriebs in Thailand (zurzeit RIST)
  • Gründung von ROHM Electronics Taiwan Co., Ltd.
1988
  • Erhalt des Basispatents für Flash-Speicher in den USA
  • Gründung von ROHM Mechatech Co., Ltd.
  • Gründung von Narita Giken Co., Ltd.
1989
  • Notierung im ersten Segment der Tokioter Börse
  • Auszeichnung mit dem PM Award (TPM)
  • Eröffnung des LSI Research Center
  • Einführung einer Verfahrenstechnik für Flüssigkristalle und Vermarktung zugehöriger Produkte
  • Gründung eines Produktionsbetriebs auf den Philippinen (zurzeit REPI)
  • Gründung von ROHM Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.
  • Gründung von ROHM Electronics (U.K.) Limited
  • Gastgeber der Veranstaltung „ROHM's Music Festival with Play Bach"
  • Veröffentlichung der PR-Zeitschrift „ROHM's Diary of Kyoto Natural History II."
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1990 – 1999 Die Herausforderung durch neue Technologien und neue Sektoren

1990
  • Eröffnung des America Technology Center
  • Beginn des Verkaufs von LED-Informationstafeln
  • Gründung von ROHM Apollo Device Co., Ltd.
1991
  • Eröffnung des zweiten Forschungs- und Entwicklungszentrums
  • Gründung der ROHM Music Foundation
  • Gastgeber des „Young Artist Concert"
1992
  • Vollständige Abschaffung spezieller Fluorcarbone (in allen Unternehmen der ROHM Group)
  • Entwicklung eines MTP-Mikrocontrollers mit eingebautem Flash-Speicher
  • Gastgeber der Veranstaltung „Contemporary & Classics"
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1993
  • Entwicklung großformatiger LCD-Public-Displays mit besonders geringer Blickwinkelabhängigkeit
  • Gründung von ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.
  • Gründung eines Produktionsbetriebs im chinesischen Tianjin (zurzeit RSC)
  • Gründung von ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.
  • Gründung von ROHM Mechatech Philippines, INC.
  • Gastgeber des „Kyoto International Music Students Festival" (jährliche Veranstaltung)
  • Gastgeber der Veranstaltung „Keith Jarrett plays Mozart"
großformatige LCD-Public-Displays
1994
  • Erhalt der Zertifizierung nach ISO 9001
  • Entwicklung eines Einzelchip-LSI zur Nachrichtenübertragung via Frequenzspreizung, der nächsten Generation der drahtlosen Datenübertragung.
  • Co-Sponsoring des „New York Trio"
  • Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Science of the tales of old Japan" (Firmen-PR)
1995
  • Eröffnung des zweiten LSI Research Center
  • Entwicklung eines FPGA mit 100.000 Gattern auf Flash-Basis, in Kooperation mit der Zycad Corporation aus den USA
  • Entwicklung eines IC mit eingebautem Modulator/Demodulator zur Infrarot-Datenübertragung nach IrDA-Standard
  • Gastgeber des „ROHM Lyric Selection Mari Kumamoto Concert" (jährliche Veranstaltung).
  • Co-Sponsoring des Französischen Nationalorchesters
  • Veröffentlichung der CD-ROM „ROHM's Diary of Kyoto Natural History (Sound Report Edition)"
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1996
  • Gründung von ROHM Wako Device Co., Ltd.
  • Gründung der ROHM Electronics Korea Corporation
  • Gründung der ROHM Electronics (Philippines) Sales Corporation
  • Co-Sponsoring des Orchesters der Mailänder Scala
1997
  • Eröffnung des Yokohama Technology Center
  • Beginn der Massenproduktion von roten Laserdioden für DVDs
  • Gründung von ROHM Electronics (Thailand) Co., Ltd.
  • Gründung von ROHM Electronics (France) S.A.S.
  • Co-Sponsoring des „Biwako Mainichi Marathon"
  • Co-Sponsoring des Moskauer Radio-Symphonie-Orchesters
  • Co-Sponsoring des Prager Symphonieorchesters
  • Veröffentlichung der CD-ROM „ROHM's Diary of Kyoto Natural History (Light Report Edition)"
1998
  • Erhalt der Zertifizierung für Umweltmanagementsysteme nach ISO 14001
  • Eröffnung des VLSI Research Center
  • Entwicklung des einzigartigen ROHM-EEPROM mit Dual-Cell-System
  • Entwicklung von äußerst zuverlässigen Schottky-Barrieredioden mit niedrigen VF- und IR-Werten.
  • Co-Sponsoring von „Inter Prefectural Men? Ekiden"
  • Co-Sponsoring von „Super Trio: Ashkenazy, Zukerman, Harell"
  • Co-Sponsoring des Konzerts „New Japan Philharmonic Special" unter der Leitung von Dirigent Seiji Ozawa
  • Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Science of the tales" (Firmen-PR)
1999
  • Eröffnung des Kyoto Technology Center
  • Eröffnung des LSI Development Center
  • Eröffnung des Hong Kong Technology Center
  • Entwicklung eines IC für Mobiltelefone
  • Stärkeres Wachstum bei der Entwicklung des weltweit hochwertigsten ZnO-Einkristallfilms in Kooperation mit Electrotechnical Laboratory (ETL)
  • Gründung von ROHM Hamamatsu Co., Ltd.
  • Gründung von ROHM Electronics (Shanghai) Co., Ltd.
  • Co-Sponsoring des „Kyoto City Half Marathon"
  • Co-Sponsoring der Sankt Petersburger Philharmoniker
  • Co-Sponsoring des „Alfred Brendel Piano Recital"

2000 – 2009 Weiteres Wachstum im Visier

2000
  • Eröffnung des Europe Technology Center
  • Entwicklung eines neuen Taktgeber-IC mit der höchsten S/N-Spanne und geringem Phasenrauschen (Low Jitter) für DVD-Laufwerke
  • Entwicklung von REAL SOCKET™, einem revolutionären Konzept in der System-LSI-Designtechnologie
  • Gründung von ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.
  • Co-Sponsoring des „Seiji Ozawa Opera Project"
  • Co-Sponsoring des Eröffnungskonzerts des „Autumn Kyoto Music Festival"
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2001
  • Eröffnung von ROHM Co., Ltd. (Shin-Yokohama)
  • Entwicklung der „Silent-Disc-Driver"-Technologie (S!PWM×2) für CD- und DVD-Laufwerke
  • Entwicklung einer 180-mW-Hochleistungs-Laserdiode als optimale Lösung für mindestens 32-fach-CD-RW-Laufwerke
  • Start des Aufforstungsprojekts „ROHM Forest" in Australien
  • Beitrag für die ROHM Plaza auf dem Campus der Ritsumeikan-Universität
2002
  • Eröffnung des Optical Device Research Center
2003
  • Eröffnung des LSI Test Technology Center
  • Entwicklung einer LVDS-Schnittstellen-LSI für Flachbildschirme
  • Gründung von ROHM Electronics Trading (Dalian) Co., Ltd.
  • Gründung von ROHM Tsukuba Co., Ltd.
  • Beitrag für die ROHM Plaza auf dem Campus der Dōshisha-Universität
  • Co-Sponsoring des „Kyoto Student Festival"
2004
  • Eröffnung des Shanghai Technology Center
  • Eröffnung des Taiwan Technology Center
  • Entwicklung von REAL PLATFORM, einer neuen Plattformentwicklungsumgebung für System-LSI
  • Inbetriebnahme der kompletten Verarbeitungsanlage für 300-mm-Wafer
  • Beginn der Massenproduktion der 130nm-CMOS-LSIs
  • Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen I.
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2005
  • Eröffnung des Korea Technology Center
  • Entwicklung von Themodruckköpfen mit proprietärer Step-Free-Struktur, die sich als äußerst robust erwies
  • Entwicklung eines Thyristors und anschließender Beginn der Massenprdouktion
  • Stiftung einer Forschungseinrichtung auf dem ROHM Plaza der Universität Kyōto
  • Anpflanzen von Bäumen rund um den Hauptsitz
  • Co-Sponsoring des „Seiji Ozawa Opera Project" in China
2006
  • Eröffnung des Shenzhen Technology Center
  • Eröffnung des Nagoya Design Center
  • Entwicklung des weltweit leistungsstärksten Siliziumkarbid(SiC)-FET mit 900 V Hochspannung und niedrigem Einschaltwiderstand von 3,1 Ω/cm²
  • Gründung von ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.
  • Gründung von ROHM Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
  • Gastgeber des „Music Seminar Member's Chamber Music Concert 2006" der ROHM Music Foundation
  • Co-Sponsoring der Ungarischen Nationalphilharmonie
  • Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen II.
2007
  • ISO/IEC-17025-Akkreditierung des Labors
  • Entwicklung einer ultrakompakten LED, „PICOLEDTM[picoled]" mit dem weltweit kleinsten Volumen und der weltweit kleinsten Fläche
  • Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen III.
  • Branchenweit erster IEEE802.1X-kompatibler Baseband-IC für Wireless-LAN-Anwendungen
2008
  • Änderung des Logos (17.09.2008) zu „ROHM SEMICONDUCTOR" anlässlich unseres 50-jährigen Firmenjubiläums
  • Übernahme von OKI SEMICONDUCTOR Co., Ltd.
  • Entwicklung der weltweit ersten nichtflüchtigen Logik-im-Speicher-Technologie ohne Stromverbrauch im Standby-Modus
  • Beteiligung an einem Joint Venture zur Entwicklung organischer EL-Leuchtfolien
  • Entwicklung eines Biochips zur Bestimmung von Blutspuren
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2009
  • Der erste niederohmige SiC-Trench-MOSFET
  • Übergangslose LED-Sockellampen (Gewinner des Good Design Award 2009)
  • Übernahme des Marktführers Kionix, Inc. als ROHM-Tochtergesellschaft
  • Übernahme eines SiC-Zulieferers als ROHM-Tochtergesellschaft
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2010 – Ausblick auf die nächsten 50 Jahre

2010
  • Entwicklung der weltweit ersten Laserdiode zur Steuerung der Strahlrichtung
  • Beginn der Massenproduktion von SiC-Schottky-Barrieredioden
  • Nachrüstung des Kyoto Technology Center and Business Center mit umweltfreundlicher Technologie,
    darunter LED-Leuchtmittel, hocheffiziente Klimaanlagen und Dachbegrünung
  • Entwicklung eines Chipsatzes und einer Referenzplatine für eingebettete Intel®-Prozessoren der nächsten Generation
2011
  • Gründung von ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd.
  • Bau der Tsinghua-ROHM  Electronic Engineering Hall der
    Tsinghua-Universität (Peking)
  • Gründung von Vertriebsgesellschaften in Brasilien
2012
  • Gründung des ROHM-Tsinghua Joint Research Center
  • Auszeichnung der ROHM Kyoto Station Building mit dem Natural Resources and
    Energy Secretary Award for Energy Conservation
  • Beginn der Massenproduktion von Voll-SiC-Leistungsmodulen
  • Entwicklung von LDO-Reglern für Automobilanwendungen mit dem
    branchenweit niedrigsten Ruhestrom von 6 µA (80 % geringer als bei herkömmlichen Produkten)
  • Beginn der Massenproduktion des weltweit kleinsten Transistorgehäuses (VML0806)
  • Entwicklung der weltweit kleinsten Zener-Dioden (Bauform 0402)
  • Förderung der EnOcean Alliance, die sich für Weiterentwicklung des interoperablen Standards
    sowie die Zukunftssicherheit einer innovativen Funksensortechnologie einsetzt
  • Beginn der Massenproduktion des branchenweit ersten SiC-MOS-Moduls ohne Schottky-Barrierediode
2013
  • Beteiligung an der Entwicklung eines energiesparenden Power-Management-IC für die
    nächste Generation der Intel® Atom™-Prozessoren (Bay Trail) für Tablets
  • Entwicklung eines hybriden Metalloxid-Halbleiters, der die Vorzüge von MOSFETs und IGBTs vereint
  • Erwerb der Namensrechte an Kyoto Kaikan und anschließende Umbenennung in ROHM Theater Kyoto
  • Beginn der Massenproduktion der RASMID™-Reihe – diese weltweit kleinsten elektronischen Komponenten wurden auf der Grundlage bahnbrechender
    Miniaturisierungstechnik und neuer Verarbeitungsmethoden entwickelt
  • Entwicklung des branchenweit ersten AC/DC-Wandler-IC mit integrierter PFC-Steuerfunktion
2014
  • Gründung eines Designzentrums in Indien
  • Einführung der branchenweit ersten MEMS-Gießerei für hochpräzise
    piezoelektrische Dünnfilmelemente
  • Entwicklung des ersten Wi-SUN-kompatiblen Universalmoduls für drahtlose Kommunikation – hervorragend geeignet für
    Smart Communities
  • Entwicklung von ultraniederohmigen Hochleistungs-Shuntwiderständen – für die Stromerfassung
    in Automobilsystemen und Industrieanlagen optimiert
  • Entwicklung der weltweit kleinsten Transistoren (VML0604) – 50 % geringere Bestückungsfläche
    gegenüber herkömmlichen Produkten
2015
  • Industrieweit erstes AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC speziell für SiC-Bauelemente
  • Erster, den neuen Qi Medium Power Spezifikation (<15W) entsprechender Wireless Charging Chipssatz
  • Weltweit erster SiC-MOSFET in Trench-Bauart
  • Teilübernahme des Werksstandorts Shiga (Fertigung von 8-Zoll-Wafern) von Renesas Semiconductor Manufacturing
2016
  • Eröffnung des ROHM Theaters in Kyoto
  • Einführung der branchenweit ersten IC-Technologie, die eine direkte Abwärtswandlung von 48V auf 3,3V ermöglicht
  • Entwicklung der weltweit ersten LDO-Regler für die Automobilindustrie (BUxxJA2MNVX-C Serie)
  • Entwicklung des kleinsten 40V-Nch-MOSFETs für die Automobilindustriebranche der Branche (AG009DGQ3)
  • Wird zum offiziellen Technologiepartner des Venturi Formula E Teams
2017
  • Vorstellung der weltweit fortschrittlichsten Stromversorgungskerntechnologie (Nano-Serie)
  • Entwicklung eines Stromversorgungs-ICs mit Nano-Pulse-Control-Technologie zur Erzielung der branchenweit höchsten Abwärtswandlungsrate auf 2,5V Ausgangsspannung von 60V Eingangsspannung bei 2MHz (BD9V100MUF-C)
  • Entwicklung des rauschtoleranten Operationsverstärkers (Serie BA8290xYxx-C)
  • Einführung einer neuen Reihe von Shunt-Widerständen (Serie PSR100/GMR100)
2018
  • Entwicklung des DC/DC-Wandlers BD70522GUL mit dem weltweit niedrigsten Stromverbrauch (180nA) unter Verwendung der Nano-Energy-Technologie
  • Erwerb der Zertifizierung gemäß der ISO 26262 Norm für den Entwicklungsprozess zur funktionalen Sicherheit von Straßenfahrzeugen
  • Entwicklung des rauschärmsten CMOS-Operationsverstärkers LMR1802G-LB in der Branche
  • Entwicklung eines Buck-Boost-Chipsatzes für Automobile, der den niedrigsten Stromverbrauch der Branche bei gleichzeitig stabiler Leistung erreicht, unter Verwendung der Quick-Buck-Booster-Technologie
  • Entwicklung eines 1700V Voll-SiC-Leistungsmoduls, das eine beispiellose Zuverlässigkeit unter Bedingungen mit hoher Luftfeuchtigkeit und Temperatur erreicht