Über ROHM

Firmenchronik

ROHM – jederzeit bereit für Herausforderungen

ROHM wurde 1958 in Kyoto als Hersteller elektronischer Kleinkomponenten gegründet. 1967 wurde die Produktion auf Transistoren und Dioden ausgeweitet, 1969 kamen ICs und weitere Halbleiterprodukte hinzu. Zwei Jahre später (1971) stieg ROHM entgegen der Gepflogenheiten in japanischen Unternehmen auf den US-Markt ein und richtete im Silicon Valley eine Vertriebsniederlassung und ein IC-Design-Center ein. Dank der intensiven Arbeit und leidenschaftlichen Hingabe seines jungen Teams florierte das Unternehmen und zog so die Aufmerksamkeit der Branche auf sich. Die Expansion nach Übersee diente schon bald anderen Unternehmen als Vorbild und setzte sich schließlich in der japanischen Unternehmenswelt durch.

• Gründung - 1969
• 1970 - 1979
• 1980 - 1989
• 1990 - 1999
• 2000 - 2009
• seit 2010

1954 bis 1969 Gründung und Aufbau

1954	Gründung von Toyo Electronics Industry Entwicklung und Vermarktung von Kohleschichtwiderständen
1958	Toyo Electronics Industry Corporation
1962	Inbetriebnahme der firmeneigenen Produktion einer Anlage zur automatischen Montage von Widerständen
1963	Entwicklung und Vermarktung von Metallschichtwiderständen
1965	Einführung eines Qualitätskontrollprogramms Veröffentlichung von „Visible Music History" (Aufnahme aller Folgen)
1966	Bildung des firmeneigenen Normungsausschusses Gründung von ROHM Wako Co., Ltd.
1967	Entwicklung und Vermarktung von Transistoren und Schalterdioden
1968	Fertigstellung der Produktion von Diodenzeilen und -matrizes
1969	Beginn der Entwicklung von ICs Gründung von ROHM Apollo Co., Ltd.

1970 – 1979 Expansion nach Übersee

1970	Einführung von Computern zur Verarbeitung von Unternehmensdaten Gründung von ROHM Logistec Co., Ltd. Gründung einer US-Tochtergesellschaft in Kalifornien Veröffentlichung von „History of Musical Instruments" (Aufnahmen aller Folgen)
1971	Beginn der Forschungs- und Entwicklungstätigkeit auf dem Gebiet der integrierten Schaltkreise (integrated circuits, kurz ICs) im Silicon Valley Gründung von ROHM Electronics GmbH Entwicklung und Vermarktung von Transistoren
1972	Gründung der ROHM Korea Corporation
1973	Entwicklung von Vermarktung von LEDs und Netzwerkwiderständen
1974	Entwicklung und Vermarktung von Thermodruckköpfen Gründung von ROHM Electronics (H.K.) Co., Ltd.
1976	Entwicklung von Vermarktung von Rechteckplatten-Chip-Widerständen
1977	Entwicklung und Vermarktung von Gleichrichterdioden
1979	Änderung des Firmennamens von R.ohm zu ROHM Gründung von ROHM Electronics Asia Pte. Ltd. (RES DIVISION) Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Kyoto Natural History" (Firmen-PR)

1980 – 1989 Der Weg zur Herstellung von integrierten Halbleitern

1980	Entwicklung und Vermarktung von Zener-Dioden
1981	Änderung des eingetragenen Firmennamens von Toyo Electronics Industry Corporation zu ROHM Co., Ltd. Beginn der Entwicklung von MOS-ICs Gründung von ROHM Fukuoka Co., Ltd. Veröffentlichung von „Asian Music" (Tonbandaufnahmen aller Folgen)
1982	Fertigstellung des Semiconductor Research Center Entwicklung und Vermarktung von Digitaltransistoren
1983	Notierung im zweiten Segment der Wertpapierbörse von Osaka Entwicklung und Vermarktung von Bandschalterdioden
1984	Weltweit erste praktische industrielle Nutzung von Laserdioden nach MBE-Verfahren Gründung von ROHM Amagi Co., Ltd.
1985	Entwicklung von 4-Bit- und 8-Bit-Mikrocontrollern mit Original-CPUs
1986	Notierung im ersten Segment der Börse von Osaka Eröffnung des Research and Development Center (zurzeit LSI Development Center) Entwicklung und Vermarktung von Speicher-ICs Vermarktung von Kondensatoren Veröffentlichung der PR-Zeitschrift „ROHM's Diary of Kyoto Natural History"
1987	Gründung eines Produktionsbetriebs in Thailand (zurzeit RIST) Gründung von ROHM Electronics Taiwan Co., Ltd.
1988	Erhalt des Basispatents für Flash-Speicher in den USA Gründung von ROHM Mechatech Co., Ltd. Gründung von Narita Giken Co., Ltd.
1989	Notierung im ersten Segment der Tokioter Börse Auszeichnung mit dem PM Award (TPM) Eröffnung des LSI Research Center Einführung einer Verfahrenstechnik für Flüssigkristalle und Vermarktung zugehöriger Produkte Gründung eines Produktionsbetriebs auf den Philippinen (zurzeit REPI) Gründung von ROHM Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. Gründung von ROHM Electronics (U.K.) Limited Gastgeber der Veranstaltung „ROHM's Music Festival with Play Bach" Veröffentlichung der PR-Zeitschrift „ROHM's Diary of Kyoto Natural History II."

1990 – 1999 Die Herausforderung durch neue Technologien und neue Sektoren

1990	Eröffnung des America Technology Center Beginn des Verkaufs von LED-Informationstafeln Gründung von ROHM Apollo Device Co., Ltd.
1991	Eröffnung des zweiten Forschungs- und Entwicklungszentrums Gründung der ROHM Music Foundation Gastgeber des „Young Artist Concert"
1992	Vollständige Abschaffung spezieller Fluorcarbone (in allen Unternehmen der ROHM Group) Entwicklung eines MTP-Mikrocontrollers mit eingebautem Flash-Speicher Gastgeber der Veranstaltung „Contemporary & Classics"
1993	Entwicklung großformatiger LCD-Public-Displays mit besonders geringer Blickwinkelabhängigkeit Gründung von ROHM Electronics Dalian Co., Ltd. Gründung eines Produktionsbetriebs im chinesischen Tianjin (zurzeit RSC) Gründung von ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. Gründung von ROHM Mechatech Philippines, INC. Gastgeber des „Kyoto International Music Students Festival" (jährliche Veranstaltung) Gastgeber der Veranstaltung „Keith Jarrett plays Mozart"
1994	Erhalt der Zertifizierung nach ISO 9001 Entwicklung eines Einzelchip-LSI zur Nachrichtenübertragung via Frequenzspreizung, der nächsten Generation der drahtlosen Datenübertragung. Co-Sponsoring des „New York Trio" Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Science of the tales of old Japan" (Firmen-PR)
1995	Eröffnung des zweiten LSI Research Center Entwicklung eines FPGA mit 100.000 Gattern auf Flash-Basis, in Kooperation mit der Zycad Corporation aus den USA Entwicklung eines IC mit eingebautem Modulator/Demodulator zur Infrarot-Datenübertragung nach IrDA-Standard Gastgeber des „ROHM Lyric Selection Mari Kumamoto Concert" (jährliche Veranstaltung). Co-Sponsoring des Französischen Nationalorchesters Veröffentlichung der CD-ROM „ROHM's Diary of Kyoto Natural History (Sound Report Edition)"
1996	Gründung von ROHM Wako Device Co., Ltd. Gründung der ROHM Electronics Korea Corporation Gründung der ROHM Electronics (Philippines) Sales Corporation Co-Sponsoring des Orchesters der Mailänder Scala
1997	Eröffnung des Yokohama Technology Center Beginn der Massenproduktion von roten Laserdioden für DVDs Gründung von ROHM Electronics (Thailand) Co., Ltd. Gründung von ROHM Electronics (France) S.A.S. Co-Sponsoring des „Biwako Mainichi Marathon" Co-Sponsoring des Moskauer Radio-Symphonie-Orchesters Co-Sponsoring des Prager Symphonieorchesters Veröffentlichung der CD-ROM „ROHM's Diary of Kyoto Natural History (Light Report Edition)"
1998	Erhalt der Zertifizierung für Umweltmanagementsysteme nach ISO 14001 Eröffnung des VLSI Research Center Entwicklung des einzigartigen ROHM-EEPROM mit Dual-Cell-System Entwicklung von äußerst zuverlässigen Schottky-Barrieredioden mit niedrigen VF- und IR-Werten. Co-Sponsoring von „Inter Prefectural Men? Ekiden" Co-Sponsoring von „Super Trio: Ashkenazy, Zukerman, Harell" Co-Sponsoring des Konzerts „New Japan Philharmonic Special" unter der Leitung von Dirigent Seiji Ozawa Erster Artikel für die Zeitungskolumne „ROHM's Diary of Science of the tales" (Firmen-PR)
1999	Eröffnung des Kyoto Technology Center Eröffnung des LSI Development Center Eröffnung des Hong Kong Technology Center Entwicklung eines IC für Mobiltelefone Stärkeres Wachstum bei der Entwicklung des weltweit hochwertigsten ZnO-Einkristallfilms in Kooperation mit Electrotechnical Laboratory (ETL) Gründung von ROHM Hamamatsu Co., Ltd. Gründung von ROHM Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Co-Sponsoring des „Kyoto City Half Marathon" Co-Sponsoring der Sankt Petersburger Philharmoniker Co-Sponsoring des „Alfred Brendel Piano Recital"

2000 – 2009 Weiteres Wachstum im Visier

2000	Eröffnung des Europe Technology Center Entwicklung eines neuen Taktgeber-IC mit der höchsten S/N-Spanne und geringem Phasenrauschen (Low Jitter) für DVD-Laufwerke Entwicklung von REAL SOCKET™, einem revolutionären Konzept in der System-LSI-Designtechnologie Gründung von ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd. Co-Sponsoring des „Seiji Ozawa Opera Project" Co-Sponsoring des Eröffnungskonzerts des „Autumn Kyoto Music Festival"
2001	Eröffnung von ROHM Co., Ltd. (Shin-Yokohama) Entwicklung der „Silent-Disc-Driver"-Technologie (S!PWM×2) für CD- und DVD-Laufwerke Entwicklung einer 180-mW-Hochleistungs-Laserdiode als optimale Lösung für mindestens 32-fach-CD-RW-Laufwerke Start des Aufforstungsprojekts „ROHM Forest" in Australien Beitrag für die ROHM Plaza auf dem Campus der Ritsumeikan-Universität
2002	Eröffnung des Optical Device Research Center
2003	Eröffnung des LSI Test Technology Center Entwicklung einer LVDS-Schnittstellen-LSI für Flachbildschirme Gründung von ROHM Electronics Trading (Dalian) Co., Ltd. Gründung von ROHM Tsukuba Co., Ltd. Beitrag für die ROHM Plaza auf dem Campus der Dōshisha-Universität Co-Sponsoring des „Kyoto Student Festival"
2004	Eröffnung des Shanghai Technology Center Eröffnung des Taiwan Technology Center Entwicklung von REAL PLATFORM, einer neuen Plattformentwicklungsumgebung für System-LSI Inbetriebnahme der kompletten Verarbeitungsanlage für 300-mm-Wafer Beginn der Massenproduktion der 130nm-CMOS-LSIs Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen I.
2005	Eröffnung des Korea Technology Center Entwicklung von Themodruckköpfen mit proprietärer Step-Free-Struktur, die sich als äußerst robust erwies Entwicklung eines Thyristors und anschließender Beginn der Massenprdouktion Stiftung einer Forschungseinrichtung auf dem ROHM Plaza der Universität Kyōto Anpflanzen von Bäumen rund um den Hauptsitz Co-Sponsoring des „Seiji Ozawa Opera Project" in China
2006	Eröffnung des Shenzhen Technology Center Eröffnung des Nagoya Design Center Entwicklung des weltweit leistungsstärksten Siliziumkarbid(SiC)-FET mit 900 V Hochspannung und niedrigem Einschaltwiderstand von 3,1 Ω/cm² Gründung von ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. Gründung von ROHM Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Gastgeber des „Music Seminar Member's Chamber Music Concert 2006" der ROHM Music Foundation Co-Sponsoring der Ungarischen Nationalphilharmonie Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen II.
2007	ISO/IEC-17025-Akkreditierung des Labors Entwicklung einer ultrakompakten LED, „PICOLEDTM[picoled]" mit dem weltweit kleinsten Volumen und der weltweit kleinsten Fläche Auswahl japanischer 78-U/min-Aufnahmen III. Branchenweit erster IEEE802.1X-kompatibler Baseband-IC für Wireless-LAN-Anwendungen
2008	Änderung des Logos (17.09.2008) zu „ROHM SEMICONDUCTOR" anlässlich unseres 50-jährigen Firmenjubiläums Übernahme von OKI SEMICONDUCTOR Co., Ltd. Entwicklung der weltweit ersten nichtflüchtigen Logik-im-Speicher-Technologie ohne Stromverbrauch im Standby-Modus Beteiligung an einem Joint Venture zur Entwicklung organischer EL-Leuchtfolien Entwicklung eines Biochips zur Bestimmung von Blutspuren
2009	Der erste niederohmige SiC-Trench-MOSFET Übergangslose LED-Sockellampen (Gewinner des Good Design Award 2009) Übernahme des Marktführers Kionix, Inc. als ROHM-Tochtergesellschaft Übernahme eines SiC-Zulieferers als ROHM-Tochtergesellschaft

2010 – Ausblick auf die nächsten 50 Jahre

2010	Entwicklung der weltweit ersten Laserdiode zur Steuerung der Strahlrichtung Beginn der Massenproduktion von SiC-Schottky-Barrieredioden Nachrüstung des Kyoto Technology Center and Business Center mit umweltfreundlicher Technologie, darunter LED-Leuchtmittel, hocheffiziente Klimaanlagen und Dachbegrünung Entwicklung eines Chipsatzes und einer Referenzplatine für eingebettete Intel®-Prozessoren der nächsten Generation
2011	Gründung von ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd. Bau der Tsinghua-ROHM  Electronic Engineering Hall der Tsinghua-Universität (Peking) Gründung von Vertriebsgesellschaften in Brasilien
2012	Gründung des ROHM-Tsinghua Joint Research Center Auszeichnung der ROHM Kyoto Station Building mit dem Natural Resources and Energy Secretary Award for Energy Conservation Beginn der Massenproduktion von Voll-SiC-Leistungsmodulen Entwicklung von LDO-Reglern für Automobilanwendungen mit dem branchenweit niedrigsten Ruhestrom von 6 µA (80 % geringer als bei herkömmlichen Produkten) Beginn der Massenproduktion des weltweit kleinsten Transistorgehäuses (VML0806) Entwicklung der weltweit kleinsten Zener-Dioden (Bauform 0402) Förderung der EnOcean Alliance, die sich für Weiterentwicklung des interoperablen Standards sowie die Zukunftssicherheit einer innovativen Funksensortechnologie einsetzt Beginn der Massenproduktion des branchenweit ersten SiC-MOS-Moduls ohne Schottky-Barrierediode
2013	Beteiligung an der Entwicklung eines energiesparenden Power-Management-IC für die nächste Generation der Intel® Atom™-Prozessoren (Bay Trail) für Tablets Entwicklung eines hybriden Metalloxid-Halbleiters, der die Vorzüge von MOSFETs und IGBTs vereint Erwerb der Namensrechte an Kyoto Kaikan und anschließende Umbenennung in ROHM Theater Kyoto Beginn der Massenproduktion der RASMID™-Reihe – diese weltweit kleinsten elektronischen Komponenten wurden auf der Grundlage bahnbrechender Miniaturisierungstechnik und neuer Verarbeitungsmethoden entwickelt Entwicklung des branchenweit ersten AC/DC-Wandler-IC mit integrierter PFC-Steuerfunktion
2014	Gründung eines Designzentrums in Indien Einführung der branchenweit ersten MEMS-Gießerei für hochpräzise piezoelektrische Dünnfilmelemente Entwicklung des ersten Wi-SUN-kompatiblen Universalmoduls für drahtlose Kommunikation – hervorragend geeignet für Smart Communities Entwicklung von ultraniederohmigen Hochleistungs-Shuntwiderständen – für die Stromerfassung in Automobilsystemen und Industrieanlagen optimiert Entwicklung der weltweit kleinsten Transistoren (VML0604) – 50 % geringere Bestückungsfläche gegenüber herkömmlichen Produkten
2015	Industrieweit erstes AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC speziell für SiC-Bauelemente Erster, den neuen Qi Medium Power Spezifikation (<15W) entsprechender Wireless Charging Chipssatz Weltweit erster SiC-MOSFET in Trench-Bauart Teilübernahme des Werksstandorts Shiga (Fertigung von 8-Zoll-Wafern) von Renesas Semiconductor Manufacturing
2016	Eröffnung des ROHM Theaters in Kyoto Einführung der branchenweit ersten IC-Technologie, die eine direkte Abwärtswandlung von 48V auf 3,3V ermöglicht Entwicklung der weltweit ersten LDO-Regler für die Automobilindustrie (BUxxJA2MNVX-C Serie) Entwicklung des kleinsten 40V-Nch-MOSFETs für die Automobilindustriebranche der Branche (AG009DGQ3) Wird zum offiziellen Technologiepartner des Venturi Formula E Teams
2017	Vorstellung der weltweit fortschrittlichsten Stromversorgungskerntechnologie (Nano-Serie) Entwicklung eines Stromversorgungs-ICs mit Nano-Pulse-Control-Technologie zur Erzielung der branchenweit höchsten Abwärtswandlungsrate auf 2,5V Ausgangsspannung von 60V Eingangsspannung bei 2MHz (BD9V100MUF-C) Entwicklung des rauschtoleranten Operationsverstärkers (Serie BA8290xYxx-C) Einführung einer neuen Reihe von Shunt-Widerständen (Serie PSR100/GMR100)
2018	Entwicklung des DC/DC-Wandlers BD70522GUL mit dem weltweit niedrigsten Stromverbrauch (180nA) unter Verwendung der Nano-Energy-Technologie Erwerb der Zertifizierung gemäß der ISO 26262 Norm für den Entwicklungsprozess zur funktionalen Sicherheit von Straßenfahrzeugen Entwicklung des rauschärmsten CMOS-Operationsverstärkers LMR1802G-LB in der Branche Entwicklung eines Buck-Boost-Chipsatzes für Automobile, der den niedrigsten Stromverbrauch der Branche bei gleichzeitig stabiler Leistung erreicht, unter Verwendung der Quick-Buck-Booster-Technologie Entwicklung eines 1700V Voll-SiC-Leistungsmoduls, das eine beispiellose Zuverlässigkeit unter Bedingungen mit hoher Luftfeuchtigkeit und Temperatur erreicht