ROHM High Heat Resistance (Tj=200℃) Power Modules

Die Entwicklung von SiC MOSFETs für einen Betrieb mit hohen Temperaturen und Stromstärken in Kombination mit einem Paket von Hitzewiderstand bei hohen Temperaturen und niedrigem Wärmewiderstand ermöglicht die Fertigung von ultrakompakten SiC Leistungsmodulen für hohe Stromstärken.
Im Vergleich zu den bestehenden Si-Geräten, die in Automobil-Hybridsystemen verwendet werden, weisen SiC-Leistungsmodule großes Potential auf, die Miniaturisierung beträchtlich zu erhöhen und das Volumen auf über ein Zehntel zu senken.
Für dieses Forschungsergebnis erhielt ROHM bei der CEATEC 2012 die prestigeträchtige Auszeichnung „Grand Prix" in der Kategorie Smart Key Technologies (intelligente Schlüsseltechnologien).

Grand Prix

Merkmale

  • 1 Zehntel der Menge herkömmlicher Si-Leistungsmodule
  • Ultrakompakter 600 V/600 A-Antrieb
  • Sehr hohe Effizienz! Weniger als halb so viel Verlust als bei bestehenden Produkten
  • Ideal für Motoren der 60 kW-Klasse
  • Betrieb bei hoher Temperatur (Tjmax=200ºC)
Full SiC Power Module

SiC-Leistungslösungen

SiC-Leistungslösungen

Eigenschaften

Eigenschaften

Anwendungsbeispiele

Industrielle Anlagen, EVs/HEVs, Solarstrom, USV/Stromversorgung, Automobilbereich, AC

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