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ROHM plant neues Gebäude für mehr SiC-Produktionskapazität
ROHM hat angekündigt, im Apollo Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude zu planen. Die erweiterte Produktionskapazität soll den steigenden Bedarf an SiC-Power-Bauteilen decken.
Die Eigenschaften des noch relativ neuen Materials SiC versprechen umfassende Einsatzmöglichkeiten in der Leistungselektronik. So haben Spannungswandler auf SiC-Basis deutlich weniger Verluste als herkömmliche Wandler auf Silizium-Basis. Zudem ermöglicht SiC gegenüber Silizium deutlich kleinere Module, Komponenten und Systeme. Die steigende Nachfrage nach möglichst energieeffizienten Geräten wird daher den Bedarf nach SiC-Komponenten in den nächsten Jahren verstärken.
Experten erwarten, dass der weltweite SiC-Markt bis 2021 die 1-Milliarde-Dollar-Marke überschreiten wird. Den größten Anteil nehmen Anwendungen in der Energieversorgung ein, wie zum Beispiel Spannungsstabilisatoren, Ladestationen für elektrische Fahrzeuge und das Stromnetz. Doch auch die Hauptwechselrichter für elektrische Fahrzeuge stellen einen bedeutenden Teil des Marktpotentials für SiC-Bauteile dar.
ROHM hat das Potential von SiC schon früh erkannt. 2010 startete ROHM die Massenproduktion von SiC-Power-Bauteilen, wie SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs. Zusätzlich war ROHM der erste Anbieter, der vollständige SiC-Power-Module und SiC-Trench-MOSFETs produzierte. Daneben hat das Unternehmen in der gesamten Firmengruppe ein vertikal integriertes Produktionssystem eingeführt. Das bedeutet, dass das Unternehmen den gesamten Herstellungsprozess von den SiC-Wafern über die Bauteile bis zum Packaging selbst abdeckt.
ROHM strebt einen großen Marktanteil bei den SiC-Wafern und -Bauteilen an. Um dieses Ziel zu erreichen, muss die Produktionskapazität stark gesteigert werden. Dazu soll zum einen die Produktionseffizienz verbessert werden, indem die Wafer-Größe weiter gesteigert und das neueste Equipment eingesetzt wird. Zum anderen ist auch der Bau einer neuen Fabrik oder eines neuen Gebäudes erforderlich. So wird durch das neue dreistöckige Gebäude die Produktionsfläche um ungefähr 11.000 m² vergrößert. Die detaillierte Planung ist gerade angelaufen, der Bau soll im Februar 2019 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein.
Auch in Zukunft wird die ROHM Gruppe ein stabiles Produktangebot sicherstellen. Der Schlüssel dazu liegt in der aufmerksamen Beobachtung der Marktbedingungen, der rechtzeitigen Stärkung der Produktionskapazität und der Einführung von standortübergreifender Fertigung, Bestandskontrolle und Aktivitäten zur Katastrophenprävention.
ROHM plant neues Gebäude für mehr SiC-Produktionskapazität
ROHM hat angekündigt, im Apollo Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude zu planen. Die erweiterte Produktionskapazität soll den steigenden Bedarf an SiC-Power-Bauteilen decken.
Die Eigenschaften des noch relativ neuen Materials SiC versprechen umfassende Einsatzmöglichkeiten in der Leistungselektronik. So haben Spannungswandler auf SiC-Basis deutlich weniger Verluste als herkömmliche Wandler auf Silizium-Basis. Zudem ermöglicht SiC gegenüber Silizium deutlich kleinere Module, Komponenten und Systeme. Die steigende Nachfrage nach möglichst energieeffizienten Geräten wird daher den Bedarf nach SiC-Komponenten in den nächsten Jahren verstärken.
Experten erwarten, dass der weltweite SiC-Markt bis 2021 die 1-Milliarde-Dollar-Marke überschreiten wird. Den größten Anteil nehmen Anwendungen in der Energieversorgung ein, wie zum Beispiel Spannungsstabilisatoren, Ladestationen für elektrische Fahrzeuge und das Stromnetz. Doch auch die Hauptwechselrichter für elektrische Fahrzeuge stellen einen bedeutenden Teil des Marktpotentials für SiC-Bauteile dar.
ROHM hat das Potential von SiC schon früh erkannt. 2010 startete ROHM die Massenproduktion von SiC-Power-Bauteilen, wie SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs. Zusätzlich war ROHM der erste Anbieter, der vollständige SiC-Power-Module und SiC-Trench-MOSFETs produzierte. Daneben hat das Unternehmen in der gesamten Firmengruppe ein vertikal integriertes Produktionssystem eingeführt. Das bedeutet, dass das Unternehmen den gesamten Herstellungsprozess von den SiC-Wafern über die Bauteile bis zum Packaging selbst abdeckt.
ROHM strebt einen großen Marktanteil bei den SiC-Wafern und -Bauteilen an. Um dieses Ziel zu erreichen, muss die Produktionskapazität stark gesteigert werden. Dazu soll zum einen die Produktionseffizienz verbessert werden, indem die Wafer-Größe weiter gesteigert und das neueste Equipment eingesetzt wird. Zum anderen ist auch der Bau einer neuen Fabrik oder eines neuen Gebäudes erforderlich. So wird durch das neue dreistöckige Gebäude die Produktionsfläche um ungefähr 11.000 m² vergrößert. Die detaillierte Planung ist gerade angelaufen, der Bau soll im Februar 2019 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein.
Auch in Zukunft wird die ROHM Gruppe ein stabiles Produktangebot sicherstellen. Der Schlüssel dazu liegt in der aufmerksamen Beobachtung der Marktbedingungen, der rechtzeitigen Stärkung der Produktionskapazität und der Einführung von standortübergreifender Fertigung, Bestandskontrolle und Aktivitäten zur Katastrophenprävention.
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