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ROHM auf der PCIM 2019 – Leistungshalbleiter und Systemlösungen für E-Mobilität und Stromversorgungsanwendungen

Auf der PCIM, der führenden Fachmesse für Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik und Energiemanagement in Nürnberg (07. bis 09. Mai 2019), zeigt ROHM Semiconductor eine Reihe von Neuentwicklungen, die aus umfangreichen Forschungs- und Designinitiativen der Unternehmensgruppe resultieren. Der Schwerpunkt liegt dabei auf Systemlösungen für E-Mobilität und Stromversorgungsanwendungen. Zu den Highlights am ROHM-Stand in Halle 9, Stand 312 gehören:

SiC-MOSFETs für Automobilanwendungen

Mit der neuen SCT3xxxxxxxHR-Serie bietet ROHM die branchenweit größte Auswahl an AEC-Q101-qualifizierten SiC-MOSFETs für Automobilanwendungen. Die Bausteine gewährleisten die hohe Zuverlässigkeit, die für On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Wandler im Automobilbereich erforderlich ist.

Gate-Treiber für SiC-MOSFETs

ROHMs neue Gate-Treiber-ICs für Power-MOSFETs bieten mehr Flexibilität und verbessern das Design von Stromversorgungssystemen in Industrie- und Automobilanwendungen. Die neue Serie verfügt über einen mit 3,75 kV isolierten und gemäß AEC Q100 qualifizierten Gate-Treiber, der speziell für die Ansteuerung von SiC-Leistungs-MOSFETs entwickelt wurde. Zudem integriert sie eine aktive Miller-Clamp-Schaltung zur Vermeidung von parasitären Einschalteffekten sowie eine Unterspannungssperre (UVLO), die für die Ansteuerung der SiC-MOSFETs von ROHM optimiert ist. Diese Funktionen verbessern die Zuverlässigkeit des Systems.

1.700V/250A-SiC-Leistungsmodul

Das neue 1.700V/250A-SiC-Leistungsmodul zeichnet sich bei hohen Temperaturen und hoher Luftfeuchtigkeit durch die branchenweit höchste Zuverlässigkeit aus. Es bietet bessere Schalteigenschaften als Si-Lösungen und ermöglicht dadurch in zahlreichen Anwendungen die Miniaturisierung von Kühlkörpern und anderen Komponenten.

Neue Reihe von Presto-MOSFETs

Mit der JN-Serie präsentiert ROHM 600V-Super-Junction-MOSFETs mit einer in der Body-Diode integrierten Fast-Recovery-Diode (FRD). Die optimierten MOSFETs der JN-Serie eignen sich für Wechselrichter-/Wandler-Anwendungen. Soft-Recovery-Eigenschaften der FRD und optimierte parasitäre Kapazitäten helfen, Rauschen zu reduzieren und Selbstanlaufprobleme in Brückentopologien zu vermeiden. ROHM bietet die JN-Serie mit einer Vielzahl von Gehäusen und umfangreichen RDS(on)-Varianten an.

IGBTs für Automobilanwendungen

Mit der RGS-Serie zeigt ROHM für Automobilanwendungen qualifizierte Switching-IGBTs mit hoher Kurzschlussfestigkeit. Die RGS-Serie deckt zwei Arten von Kollektor-Emitter-Spannungen ab: 650 V mit garantierter Kurzschlussfestigkeit von 8 µs und 1.200 V mit 10 µs Kurzschlussfestigkeit. Die IGBTs können entsprechend der Batteriespannung von Elektrofahrzeugen ausgewählt werden. Sie eignen sich für E-Kompressoren und PTC-Heizungen im Automobilbereich.

Power-Management-ICs

Basierend auf seiner langjährigen Erfahrung mit diskreten Leistungs-Bauelementen bietet ROHM Semiconductor eine breite Palette von Power-Management-ICs für SoCs und Anwendungen im Automobil-, Industrie- und Konsumgüterbereich. Das umfangreiche Produktportfolio umfasst isolierte DC/DC-Regler sowie optimierte AC/DC-Wandler zum Aufbau hocheffizienter Stromversorgungen auf Basis der SiC-Technologie. Darüber hinaus erweitert ROHM mit neuen innovativen Konzepten wie Quick-Buck-Boost-Wandlern oder seiner Nano-Pulse-Control-Technologie die technischen Grenzen.