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ROHM präsentiert leistungsstarke Lösungen für E-Mobilität, Energieumwandlung und weitere Anwendungen
4. April, 2023
Auf der PCIM Europe, der führenden Fachmesse für Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik und Energiemanagement in Nürnberg (9. bis 11. Mai), stellt ROHM Semiconductor seine neuen Leistungshalbleiter vor, die den Fortschritt nachhaltiger Technologien unterstützen. Dazu zählen unter anderem leistungsstarke Lösungen für den Bereich der Elektromobilität.
Die Bedeutung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen – den Kernprodukten von ROHM – nimmt zu, vor allem im Hinblick auf die angestrebte dekarbonisierte Gesellschaft, die bedeutend für die Sicherung der Zukunft kommender Generationen ist. Auf der PCIM präsentiert ROHM zukunftsweisende Lösungen für die Schlüsseltechnologien unserer Zeit. ROHM stellt hierbei Lösungen für Technologien vor, die sich um die Themen Energieeinsparung, Miniaturisierung, funktionale Sicherheit, Innovation und Nachhaltigkeit drehen. Unter dem Motto „Powering up with ROHM“ zeigt das Unternehmen, wie es mit seinen hochwertigen Technologien gesellschaftliche und ökologische Herausforderungen löst.
Zu den Produkt-Highlights von ROHM (Stand 310, Halle 9) gehören:
ROHM booth 310, hall 9
• SiC-MOSFETs der 4. Generation: Die zukunftsweisende SiC-MOSFET-Technologie von ROHM ermöglicht einen branchenführend niedrigen Einschaltwiderstand, minimiert Schaltverluste und unterstützt eine Gate-Source-Spannung von 15 V und 18 V. Sie trägt zu einer drastischen Miniaturisierung und einer geringen Stromaufnahme in verschiedenen Anwendungen bei, darunter in Wechselrichtern für die Automobilindustrie und verschiedenen Schaltnetzteilen.
• Neue Gehäuse für SiC-Leistungsmodule: ROHM erweitert sein Gehäuseportfolio um die Module „HSDIP20“ und „DOT247“ für die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation (750 V und 1200 V) mit verschiedenen Einschaltwiderständen. Beide erreichen je nach Betriebsbedingungen bis zu 30 kW Leistung.
• Gate-Treiber: Die BM611x-Serie ist ein isolierter, AEC-Q100-zertifizierter Gate-Treiberbaustein mit 3,75 KV – speziell designt für xEV-Traktionswechselrichteranwendungen. Die Produktfamilie wurde erweitert um den Baustein „BM6112“ für Hochleistungs-IGBT- und SiC-Anwendungen mit einem einzigartigen Gate-Strom von 20 A.
• Intelligente Low-Side-Power-Bausteine (IPD): Die Serien BV1LExxxEFJ-C und BM2LExxxFJ-C – eine neue Generation von AEC-Q100-qualifizierten Ein- und Zwei-Kanal-40-V-Smart-Low-Side-Schaltern – eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen.
• Integrierte 730-V-Fly-Back-Wandler: Die IC-Serie BM2P06xMF integriert einen 730-V-Si-MOSFET und einen PWM-Controller in einem Gehäuse und ist ideal für industrielle Hilfsstromversorgungen und SMPS-Anwendungen.
• Eingebauter 1700-V-SiC-MOSFET: Die Serie BM2SC12xFP2-LBZ ist ein quasi-resonanter AC/DC-Wandler und damit ein optimales System für alle Produkte mit Stromanschluss.
• 150-V-GaN-HEMT: Die 150-V-GaN-HEMTs GNE10xxTB von ROHM sind für Stromversorgungsschaltungen in Industrie- und Kommunikationsgeräten für die branchenweit höchste Gate-Durchbruchspannungstechnologie (8 V) optimiert.
Darüber hinaus präsentiert ROHM auf der PCIM 2023 Erweiterungen seines IGBT- und GaN-Produktportfolios.
ROHM beteiligt sich auch mit einigen Sprechern an Podiumsdiskussionen und Konferenzvorträgen und bietet zahlreiche Präsentationen direkt am ROHM-Stand. Im Rahmen der PCIM Europe-Konferenz zeigen ROHM-Experten außerdem auch eine Reihe von Postersessions.
ROHM präsentiert leistungsstarke Lösungen für E-Mobilität, Energieumwandlung und weitere Anwendungen
4. April, 2023
Auf der PCIM Europe, der führenden Fachmesse für Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik und Energiemanagement in Nürnberg (9. bis 11. Mai), stellt ROHM Semiconductor seine neuen Leistungshalbleiter vor, die den Fortschritt nachhaltiger Technologien unterstützen. Dazu zählen unter anderem leistungsstarke Lösungen für den Bereich der Elektromobilität.
Die Bedeutung von Halbleitern und elektronischen Bauteilen – den Kernprodukten von ROHM – nimmt zu, vor allem im Hinblick auf die angestrebte dekarbonisierte Gesellschaft, die bedeutend für die Sicherung der Zukunft kommender Generationen ist. Auf der PCIM präsentiert ROHM zukunftsweisende Lösungen für die Schlüsseltechnologien unserer Zeit. ROHM stellt hierbei Lösungen für Technologien vor, die sich um die Themen Energieeinsparung, Miniaturisierung, funktionale Sicherheit, Innovation und Nachhaltigkeit drehen. Unter dem Motto „Powering up with ROHM“ zeigt das Unternehmen, wie es mit seinen hochwertigen Technologien gesellschaftliche und ökologische Herausforderungen löst.
Zu den Produkt-Highlights von ROHM (Stand 310, Halle 9) gehören:
• SiC-MOSFETs der 4. Generation: Die zukunftsweisende SiC-MOSFET-Technologie von ROHM ermöglicht einen branchenführend niedrigen Einschaltwiderstand, minimiert Schaltverluste und unterstützt eine Gate-Source-Spannung von 15 V und 18 V. Sie trägt zu einer drastischen Miniaturisierung und einer geringen Stromaufnahme in verschiedenen Anwendungen bei, darunter in Wechselrichtern für die Automobilindustrie und verschiedenen Schaltnetzteilen.
• Neue Gehäuse für SiC-Leistungsmodule: ROHM erweitert sein Gehäuseportfolio um die Module „HSDIP20“ und „DOT247“ für die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation (750 V und 1200 V) mit verschiedenen Einschaltwiderständen. Beide erreichen je nach Betriebsbedingungen bis zu 30 kW Leistung.
• Gate-Treiber: Die BM611x-Serie ist ein isolierter, AEC-Q100-zertifizierter Gate-Treiberbaustein mit 3,75 KV – speziell designt für xEV-Traktionswechselrichteranwendungen. Die Produktfamilie wurde erweitert um den Baustein „BM6112“ für Hochleistungs-IGBT- und SiC-Anwendungen mit einem einzigartigen Gate-Strom von 20 A.
• Intelligente Low-Side-Power-Bausteine (IPD): Die Serien BV1LExxxEFJ-C und BM2LExxxFJ-C – eine neue Generation von AEC-Q100-qualifizierten Ein- und Zwei-Kanal-40-V-Smart-Low-Side-Schaltern – eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen.
• Integrierte 730-V-Fly-Back-Wandler: Die IC-Serie BM2P06xMF integriert einen 730-V-Si-MOSFET und einen PWM-Controller in einem Gehäuse und ist ideal für industrielle Hilfsstromversorgungen und SMPS-Anwendungen.
• Eingebauter 1700-V-SiC-MOSFET: Die Serie BM2SC12xFP2-LBZ ist ein quasi-resonanter AC/DC-Wandler und damit ein optimales System für alle Produkte mit Stromanschluss.
• 150-V-GaN-HEMT: Die 150-V-GaN-HEMTs GNE10xxTB von ROHM sind für Stromversorgungsschaltungen in Industrie- und Kommunikationsgeräten für die branchenweit höchste Gate-Durchbruchspannungstechnologie (8 V) optimiert.
Darüber hinaus präsentiert ROHM auf der PCIM 2023 Erweiterungen seines IGBT- und GaN-Produktportfolios.
ROHM beteiligt sich auch mit einigen Sprechern an Podiumsdiskussionen und Konferenzvorträgen und bietet zahlreiche Präsentationen direkt am ROHM-Stand. Im Rahmen der PCIM Europe-Konferenz zeigen ROHM-Experten außerdem auch eine Reihe von Postersessions.
Weitere Informationen:
https://www.rohm.com/pcim
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