RFN2L6SDD
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit (entspricht AEC-Q101)

RFN2L6SDD ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für eine allgemeine Gleichrichtung.

Neue alternative Produkte sind möglicherweise verfügbar.

Produktdetails

 
Teilenummer | RFN2L6SDDTE25
Status | Aktiv
Gehäuse | PMDS
Einheitenmenge | 1500
Minimale Gehäusemenge | 1500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Configuration

Single

Package Code

DO-214AC (SMA)

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

600

Reverse Voltage VR[V]

600

Average Rectified Forward Current IO[A]

1.5

IFSM[A]

40

Forward Voltage VF(Max.)[V]

1.55

IF @ Forward Voltage [A]

1.5

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.001

VR @ Reverse Current [V]

600

trr(Max.)[ns]

35

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.6x5 (t=2.2)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

・Klein, Power Mold (PMDS)
・Geringe VF, extrem schnelles Schalten und geringe Schaltverluste
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