RF301BGE2S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit

RF301BGE2S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF301BGE2STL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package(JEITA)

SC-63

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

3

VRM[V]

200

Reverse Voltage VR[V]

200

Average Rectified Forward Current IO[A]

3.0

IFSM[A]

40.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.93

IF @ Forward Voltage [A]

3.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

200

trr(Max.)[ns]

25

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1.0

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.6x10 (t=2.4)

Eigenschaften:

  • Low switching loss
  • Low forward voltage