RFN5BM6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFN5BM6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFN5BM6S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package(JEITA)
SC-63
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
5
Forward Voltage VF(Max.)[V]
1.55
IF @ Forward Voltage [A]
5
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
50
IF @ trr [mA]
500
IR @ trr [A]
1
Tj[℃]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.3)
Eigenschaften:
- Low switching loss
- Low forward voltage
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
-
- Evaluation Board - BM2P121X-EVK-001
Non-Isolation Buck Converter PWM method Output 9 W 12 V
-
- Evaluation Board - BM2P141X-EVK-001
Non-Isolation Buck Converter PWM method Output 10 W 14 V
-
- Evaluation Board - BM2P151X-EVK-001
Non-Isolation Buck Converter PWM method Output 12 W 15 V