RFN6BM2D
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit

RFN6BM2D ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RFN6BM2DTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Configuration

C-Common

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package(JEITA)

SC-63

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

3

VRM[V]

200

Reverse Voltage VR[V]

200

Average Rectified Forward Current IO[A]

6

IFSM[A]

40

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.98

IF @ Forward Voltage [A]

3

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

200

trr(Max.)[ns]

25

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.6x10 (t=2.3)

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Eigenschaften:

  • Gemeinsame Kathode Dual-Typ
  • Geringer Schaltverlust
  • Hohe Stromüberlastfähigkeit

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