RFNL10BGE6S
600 V 10 A, TO-252, einzelne Super Fast Recovery Diode
RFNL10BGE6S
600 V 10 A, TO-252, einzelne Super Fast Recovery Diode
Der RFNL10BGE6S ist eine planare Silizium-Epitaxie-Fast-Recovery-Diode mit extrem niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust, geeignet für allgemeine Gleichrichtungs- oder PFC-Anwendungen (DCM : Discontinuous Current Mode).
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package(JEITA)
SC-63
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
10
Forward Voltage VF(Max.)[V]
1.25
IF @ Forward Voltage [A]
8
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
65
IF @ trr [mA]
500
IR @ trr [A]
1
Tj[℃]
150
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.0x6.6 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Ultra low forward voltage
- Low switching loss
- High current overload capacity
