RFNL10TJ6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL10TJ6S
RFNL10TJ6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL10TJ6S ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für PFC.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-220
Mounting Style
Leaded type
Number of terminal
2
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
10
IFSM[A]
120
Forward Voltage VF(Max.)[V]
1.25
IF @ Forward Voltage [A]
8
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
65
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.2x15.05 (t=4.6)
Eigenschaften:
- Ultra low forward voltage
- Low switching loss
- High current overload capacity
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Evaluation Board - BD7693FJ-EVK-001
PFC BCM (Boundary Current Mode) Method Output 200 W 400 V (BD7693FJ)
-
- Evaluation Board - BD7695FJ-EVK-001
Boundary Current Mode Method 200 W 400 V output (BD7695FJ)
