RFNL20TJ6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL20TJ6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL20TJ6S ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für PFC.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-220
Mounting Style
Leaded type
Number of terminal
2
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
20
Forward Voltage VF(Max.)[V]
1.3
IF @ Forward Voltage [A]
20
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
70
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.05x10.02 (t=4.6)
Eigenschaften:
- Ultra low forward voltage
- Low switching loss
- High current overload capacity
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
-
- Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-002
With GaN HEMT, Power Factor Correction 240W 400V BM3G007MUV Reference Board
