RFNL5BGE6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL5BGE6S
RFNL5BGE6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFNL5BGE6S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package(JEITA)
SC-63
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
5
IFSM[A]
50
Forward Voltage VF(Max.)[V]
1.3
IF @ Forward Voltage [A]
5
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
60
IF @ trr [mA]
500
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Ultra low forward voltage
- High current overload capacity
