RFV12TG6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit

RFV12TG6S ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für PFC.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RFV12TG6SGC9
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-220AC
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

TO-220AC

Mounting Style

Leaded type

Number of terminal

2

VRM[V]

600

Reverse Voltage VR[V]

600

Average Rectified Forward Current IO[A]

12.0

IFSM[A]

120.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

2.8

IF @ Forward Voltage [A]

12.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

600

trr(Max.)[ns]

25

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.2x15.05 (t=4.6)

Eigenschaften:

  • Hyper fast recorvery / Hard recovery type
  • Ultra low switching loss
  • High current overload capacity
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