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Beispiel anhand des Digitaltransistors DTC114EKA von ROHM:
Während Durchlassstrom durch E-B fließt, liegen zwischen E und B ca. 0,7 V (bei 25 °C) an. Da der interne Widerstand R2 parallel geschaltet ist, ist die Spannung identisch. Deshalb wird der durch R2 fließende Strom folgendermaßen berechnet: IR2 = 0,7 V / 10 kΩ = 70 µA
Wenn 5 V an den Eingang an der Basis angelegt wird, liegt an R1 eine Spannung von 4,3 V (5-0,7 V) an, woraus sich ein Strom von: IR1 = 4,3 V / 10 kΩ = 430 µA ergibt
Deshalb fließt 430 µA - 70 µA = 360 µA Strom durch die Basis des Transistors.
Für einen stabilen Betrieb muss die Eingangsspannung Vin angepasst werden, damit maximal ein Ausgangsstrom des 10-20-Fachen des Basisstroms beibehalten wird. Wenn kein ausreichender Ausgangsstrom erreicht werden kann, sollte ein Digitaltransistor mit einem niedrigeren R1 verwendet werden.
Bei 25 ºC beträgt die Spannung in Vorwärtsrichtung (VF) bei E-B ca. 0,7 V. Beachten Sie jedoch, dass sich VF pro ºC über 25 ºC um ca. 2,2 mV verringert. Bei einer Umgebungstemperatur von +50 ºC beträgt die Spannung in Vorwärtsrichtung beispielsweise folgende Werte: 0,7 V - (50 ºC - 25 ºC) × 2,2 mV = 0,645 V. Deshalb ist es äußerst wichtig, die Auswirkungen der Umgebungstemperatur auf den Wert VF zu berücksichtigen. Beachten Sie, dass die Spannungstoleranz ±0,1 V beträgt. Beim Einsatz der internen Widerstände R1 und R2 gilt eine Toleranz von ±30 %. Führen Sie die Berechnungen entsprechend durch.
