Achtung Internet Explorer-Benutzer: Die ROHM-Website unterstützt IE 11 nicht mehr. Bitte aktualisieren Sie Ihren Browser, um die beste Leistung auf der ROHM-Website zu gewährleisten.
Steigt das Drain-Potenzial in einem FET in ausgeschaltetem Zustand, so kann auch das Gate-Potenzial durch die Auswirkungen der AC-Kopplung der Gate-Drain-Kapazität ansteigen. Ein typisches Beispiel ist ein in Reihe geschalteter Brückentreiber. Zur Vermeidung von Kurzschlussschäden durch fehlerhaftes Einschalten wird eine negative Vorspannung empfohlen. Ein Anstieg des Gate-Potenzials kann auch durch eine Erhöhung der Gate-Source-Kapazität vermindert werden. Wird ein Miller Clamp-MOSFET zwischen Gate und Source geschaltet, kann außerdem ein Anstieg des Gate-Potenzials durch zuverlässigen Kurzschlussbetrieb vermieden werden. Trotzdem können beim Ansteuern des Miller Clamp-MOSFET Störungen durch Rauschen auftreten.
