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Steigt das Drain-Potenzial in einem FET in ausgeschaltetem Zustand, so kann auch das Gate-Potenzial durch die Auswirkungen der AC-Kopplung der Gate-Drain-Kapazität ansteigen. Ein typisches Beispiel ist ein in Reihe geschalteter Brückentreiber. Zur Vermeidung von Kurzschlussschäden durch fehlerhaftes Einschalten wird eine negative Vorspannung empfohlen. Ein Anstieg des Gate-Potenzials kann auch durch eine Erhöhung der Gate-Source-Kapazität vermindert werden. Wird ein Miller Clamp-MOSFET zwischen Gate und Source geschaltet, kann außerdem ein Anstieg des Gate-Potenzials durch zuverlässigen Kurzschlussbetrieb vermieden werden. Trotzdem können beim Ansteuern des Miller Clamp-MOSFET Störungen durch Rauschen auftreten.