FAQ's
  • Wird für die Gate-Ansteuerspannung in SiC-MOSFETs und -Modulen eine negative Vorspannung benötigt?
    • Steigt das Drain-Potenzial in einem FET in ausgeschaltetem Zustand, so kann auch das Gate-Potenzial durch die Auswirkungen der AC-Kopplung der Gate-Drain-Kapazität ansteigen.
      Ein typisches Beispiel ist ein in Reihe geschalteter Brückentreiber.
      Zur Vermeidung von Kurzschlussschäden durch fehlerhaftes Einschalten wird eine negative Vorspannung empfohlen.
      Ein Anstieg des Gate-Potenzials kann auch durch eine Erhöhung der Gate-Source-Kapazität vermindert werden.
      Wird ein Miller Clamp-MOSFET zwischen Gate und Source geschaltet, kann außerdem ein Anstieg des Gate-Potenzials durch zuverlässigen Kurzschlussbetrieb vermieden werden.
      Trotzdem können beim Ansteuern des Miller Clamp-MOSFET Störungen durch Rauschen auftreten.
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