GNE1008TB (In Entwicklung)
E-mode Gallium-Nitride (GaN) HEMT, EcoGaN™, 150V 30A DFN5060
GNE1008TB (In Entwicklung)
E-mode Gallium-Nitride (GaN) HEMT, EcoGaN™, 150V 30A DFN5060
Der GNE1008TB ist ein GaN-HEMT mit 8 V Gate-Source-Spannung und 150 V. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™ Serie, das zur Leistungsumwandlungseffizienz und zur Größenreduzierung beiträgt, indem der niedrige ON-Widerstand und die hohe Schaltgeschwindigkeit optimal genutzt werden. Die Stromversorgungseffizienz beträgt 96,5% oder mehr, selbst im Hochfrequenzbereich von 1MHz. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Looking for the Gate Driver inspiring GaN HEMT performance? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
150
IDS [A]
30
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
8.5
Qg [nC]
7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
Produktvideo & Katalog
