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GNP1070TC-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K
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E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K
Die Einstellung von Produkten (EOL) wurde angekündigt.
Produktdetails
Teilenummer | GNP1070TC-ZE2
Status |
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Gehäuse |
DFN8080K
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 3500
Minimale Gehäusemenge | 3500
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
5.2
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
- 650V E-mode GaN FET
- 70mΩ Resistance
- 5.2nC Gate Charge
