GNP1070TC-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K
GNP1070TC-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 20A DFN8080K
Der GNP1070TC-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der den branchenweit höchsten FOM-Wert (Ron*Ciss, Ron*Coss) erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™ Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und zur Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Looking for the Gate Driver inspiring GaN HEMT performance? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
5.2
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
- 650V E-mode GaN FET
- 70mΩ Resistance
- 5.2nC Gate Charge
Produktvideo & Katalog
