GNP1150TCA-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK
GNP1150TCA-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK
GNP1150TCA-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron*Ciss、Ron*Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™ Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und zur Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Looking for the Gate Driver inspiring GaN HEMT performance? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
11
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
150
Qg [nC]
2.7
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
- 650V E-mode GaN FET
- 150mΩ Resistance
- 2.7nC Gate Charge
Produktvideo & Katalog
