GNP1150TCA-Z
E-mode Gallium-Nitrid (GaN) FET, EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK

GNP1150TCA-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse der Branche erreicht hat (Ron*Ciss、Ron*Coss). Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™ Serie, das durch die optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und der hohen Schaltgeschwindigkeit zur Leistungsumwandlungseffizienz und zur Größenreduzierung beiträgt. Die eingebaute ESD-Schutzfunktion sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Montage.

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Produktdetails

 
Teilenummer | GNP1150TCA-ZE2
Status | Empfohlen
Gehäuse | DFN8080AK
Einheitenmenge | 3500
Minimale Gehäusemenge | 3500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

VDS [V]

650

IDS [A]

11

VGS Rating [V]

6

RDS(on) [mΩ]

150

Qg [nC]

2.7

Dimensions [mm]

8.0x8.0 (t=0.9)

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Eigenschaften:

  • 650V E-mode GaN FET
  • 150mΩ Resistance
  • 2.7nC Gate Charge
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