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GNP2025TD-Z
EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-Mode Galliumnitrid(GaN)-HEMT
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EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-Mode Galliumnitrid(GaN)-HEMT
Die Einstellung von Produkten (EOL) wurde angekündigt.
Produktdetails
Teilenummer | GNP2025TD-ZTR
Status |
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Gehäuse |
TOLL-8N
Gehäusetyp | Taping
Einheitenmenge | 2000
Minimale Gehäusemenge | 2000
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
59.7
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
25
Qg [nC]
13.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
11.68x9.9 (t=2.4)
Eigenschaften:
- 650V E-Mode GaN HEMT
- 25mΩ Widerstand
- 13.2nC Gate-Ladung
