GNP2070TEC-Z
EcoGaN™, 650 V 27,2 A DFN8080CK, E-Mode Galliumnitrid(GaN) HEMT
GNP2070TEC-Z
EcoGaN™, 650 V 27,2 A DFN8080CK, E-Mode Galliumnitrid(GaN) HEMT
Der GNP2070TEC-Z ist ein 650 V GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) der Branche erreicht hat. Es ist ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das zur Leistungs-Wandler-Effizienz und Größenreduzierung beiträgt, indem es den niedrigen Einschaltwiderstand und das schnelle Schalten optimal nutzt. Eine ESD-Schutzfunktion ist für ein hochzuverlässiges Design integriert. Darüber hinaus bieten die vielseitigen Gehäuse eine ausgezeichnete Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Suchen Sie den Gate-Treiber, der die GaN-HEMT-Leistung verbessert? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
27.2
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
4.7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- 650 V E-Mode GaN HEMT
- 70 mΩ Widerstand
- 4,7 nC Gate-Ladung
