GNP2130TEC-Z
EcoGaN™, 650V 14.5A DFN8080CK, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
GNP2130TEC-Z
EcoGaN™, 650V 14.5A DFN8080CK, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
Der GNP2130TEC-Z ist ein 650V GaN HEMT, der die branchenweit höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss, Ron*Coss) erreicht hat. Er ist ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das durch optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und des schnellen Schaltens zur Leistungs-umwandlungs-effizienz und Größenreduzierung beiträgt. Die integrierte ESD-Schutzfunktion sorgt für ein hochzuverlässiges Design. Darüber hinaus bieten die vielseitigen Gehäuse eine ausgezeichnete Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Suchen Sie den Gate-Treiber, der die GaN-HEMT-Leistung inspiriert? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
14.5
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
130
Qg [nC]
2.8
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- 650V E-mode GaN HEMT
- 130mΩ Widerstand
- 2.8nC Gate-Ladung
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
-
- Evaluation Board - GNP2130TEC-1-EVK-001
In order to take advantage of good switching performance and heat dissipation for GaN power devices, it is necessary to evaluate them under various drive conditions, but these evaluations are not easy. The EVK has been released to evaluate the switching performance.
