GNP2250TB-Z (Neues Produkt)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-Mode Galliumnitrid(GaN) HEMT
GNP2250TB-Z (Neues Produkt)
EcoGaN™, 650V 6.8A DFN5060K, E-Mode Galliumnitrid(GaN) HEMT
Der GNP2250TB-Z ist ein 650V GaN HEMT, der die branchenweit höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das durch optimale Nutzung des niedrigen ON-Widerstands und des Hochgeschwindigkeits-Schaltens zu einer verbesserten Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt. Eine ESD-Schutzfunktion ist für ein hochzuverlässiges Design integriert. Darüber hinaus bieten die vielseitigen Gehäuse eine ausgezeichnete Wärmeableitung und erleichtern die Montage. Suchen Sie den Gate-Treiber, der die GaN HEMT-Leistung inspiriert? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
250
Qg [nC]
1.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=0.9)
Eigenschaften:
- 650V E-Mode GaN HEMT
- 250mΩ Widerstand
- 1.2nC Gate-Ladung
