Für neue Designs nicht empfohlen
RGC80TSX8R
Rückwärtsleitender IGBT, 1800V 40A, integrierte Diode, TO-247N, Field-Stop-Trench-IGBT
RGC80TSX8R
Für neue Designs nicht empfohlen
RGC80TSX8R
Rückwärtsleitender IGBT, 1800V 40A, integrierte Diode, TO-247N, Field-Stop-Trench-IGBT
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | RGC80TSX8RGC11
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
TO-247N
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Series
C: Reverse Conducting
VCES [V]
1800
IC(100°C)[A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
2.2
tf(Typ.) [ns]
55
Built-in Diode
FRD
BVCES (Min.)[V]
1800
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Monolithic Body Diode with Low Forward Voltage
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
