RGH00TSX2EF (Neues Produkt)
Hochgeschwindigkeits-FRD-integrierter 1200V 57A Field Stop Trench IGBT im TO-247-Gehäuse
RGH00TSX2EF (Neues Produkt)
Hochgeschwindigkeits-FRD-integrierter 1200V 57A Field Stop Trench IGBT im TO-247-Gehäuse
Der RGH00TSX2EF ist ein IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, geeignet für PV-Wechselrichter, USV, PFC und Schweißen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Series
H: High speed SW
VCES [V]
1200
IC(100°C)[A]
57
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.75
tf(Typ.) [ns]
95
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
340
BVCES (Min.)[V]
1200
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Schaltverluste und sanftes Schalten
- Eingebauter sehr schneller und weicher FRD
- Bleifreie Verbleiung; RoHS-konform
